福州，代理美国SiTime汽车高温MEMS晶体振荡器，扩频压控VCXO晶振

MHz振荡器
SiT8021是世界上体积较小，功耗较低，较轻的MHz振荡器。 它比功耗低90％，比较小的石英振荡器小40％。 功率，封装和频率范围的**的组合使得该器件成为功率敏感和空间受限应用的理想选择。
3.072 MHz的**低电流消耗为60μA
**小型1.2 mm2（1.5 x 0.8 mm）封装
1至26 MHz，精确度为6位小数
振荡器输出驱动多个负载并消除XTAL
类别
LVPECL / LVDS / HCSL振荡器LVCMOS振荡器汽车和高温振荡器扩频振荡器电压控制振荡器

LVPECL / LVDS / HCSL振荡器
SiTime为网络，服务器，存储和电信应用提供了广泛的高性能差分振荡器产品组合。 SiT91xx和SiT93xx系列在存在常见环境危害（如冲击，振动，噪声电源和EMI）的情况下提供较佳的抖动以及电源噪声抑制（PSNR）。
从1 MHz到725 MHz的任何频率，以1 Hz为增量
工业标准小型封装的抖动（典型值）为0.23至0.6 ps
±10 ppm，较佳的动态稳定性
DeviceDatasheetFrequencyStability(PPM)Output TypeSupply Voltage(V)Temp. Range(°C)Package Size(mm)
SiT9120		31 frequencies	±10±20±25±50	LVPECLLVDS	2.53.32.25 to 3.63	-20 to +70-40 to +85	3.2x2.55.0x3.27.0x5.0
SiT9121		1 to 220 MHz	±10±20±25±50	LVPECLLVDS	2.53.32.25 to 3.63	-20 to +70-40 to +85	3.2x2.55.0x3.27.0x5.0
SiT9122		220 to 625 MHz	±10±20±25±50	LVPECLLVDS	2.53.32.25 to 3.63	-20 to +70-40 to +85	3.2x2.55.0x3.27.0x5.0
SiT9365		32 frequencies	±20±25±50	LVPECLLVDSHCSL	2.52.833.3	-20 to +70-40 to +85	3.2x2.57.0x5.0
SiT9366		1 to 220 MHz	±20±25±50	LVPECLLVDSHCSL	2.52.833.3	-20 to +70-40 to +85	3.2x2.57.0x5.0
SiT9367		220 to 725 MHz	±20±25±50	LVPECLLVDSHCSL	2.52.833.3	-20 to +70-40 to +85	3.2x2.57.0x5.0
关键资源
用于SiT9120 / 1/2和SiT3821 / 2D差分输出终端的差分输出终端LVPECL，HCSL，LVDS和CML用于SiT9102 / 7和SiT9002器件的LVPECL，HCSL，LVDS和CML

LVCMOS振荡器
SiTime为消费，工业，物联网和网络应用提供了广泛的LVCMOS振荡器产品组合。 这些器件提供较小的尺寸和较低的功耗。 另外，它们有各种各样的包装。
1至220 MHz，精度为6位小数位
功耗较低，低至60μA
较佳的频率稳定度，精确到±10 ppm
较小的占地面积（1508）以及行业标准的占地面积（2016年，2520年，3225年，5032年和7050年）
SOT23-5含铅封装的较佳可制造性
用于降低EMI的FlexEdge?压摆率选项：0.25 ns至40 ns可配置的上升/下降时间
DeviceDatasheetFrequencyStability(PPM)Output TypeSupply Voltage(V)Temp. Range(°C)Package Size(mm)
SiT1602		52 frequencies	±20±25±50	LVCMOS	1.82.5 to 3.3	-20 to +70-40 to +85	2.0x1.62.5x2.03.2x2.55.0x3.27.0x5.0
SiT2001		1 to 110 MHz	±20±25±50	LVCMOS	1.82.5 to 3.3	-20 to +70-40 to +85	SOT23(2.9x2.8)
SiT2002		115 to 137 MHz	±20±25±50	LVCMOS	1.82.5 to 3.3	-20 to +70-40 to +85	SOT23(2.9x2.8)
SiT8008		1 to 110 MHz	±20±25±50	LVCMOS	1.82.5 to 3.3	-20 to +70-40 to +85	2.0x1.62.5x2.03.2x2.55.0x3.27.0x5.0
SiT8009		115 to 137 MHz	±20±25±50	LVCMOS	1.82.5 to 3.3	-20 to +70-40 to +85	2.0x1.62.5x2.03.2x2.55.0x3.27.0x5.0
SiT8208		1 to 80 MHz	±10±20±25±50	LVCMOS	1.82.5 to 3.3	-20 to +70-40 to +85	2.5x2.03.2x2.55.0x3.27.0x5.0
SiT8209		80 to 220 MHz	±10±20±25±50	LVCMOS	1.82.5 to 3.3	-20 to +70-40 to +85	2.5x2.03.2x2.55.0x3.27.0x5.0
关键资源
单端振荡器驱动单端或多端负载的终止建议SiT8103，SiT8003和SiT9003的上升和下降时间选择

汽车和高温振荡器
SiTime的汽车（AEC-Q100）和高温振荡器可在-55°C至125°C范围内提供±20 ppm的频率稳定性。 与石英相比，它们的稳定性好2倍，可靠性高20倍，抗冲击和振动性高30倍。
1至137 MHz，精确度为6位小数位
*（-55至125°C），汽车（-40至125°C），扩展工业（-40至105°C）温度
低振动灵敏度（克灵敏度）为0.1 ppb / g
50,000克冲击和70克抗振动
5亿小时MTBF
DeviceDatasheetFrequencyStability(PPM)Output TypeSupply Voltage(V)Temp. Range(°C)Package Size(mm)
SiT1618		33 frequencies	±20±25±50	LVCMOS	1.82.5 to 3.3	-40 to +105-40 to +125	2.0x1.62.5x2.03.2x2.55.0x3.27.0x5.0
SiT2018		1 to 110 MHz	±20±25±50	LVCMOS	1.82.5 to 3.3	-40 to +105-40 to +125	SOT23(2.9x2.8)
SiT2019		115 to 137 MHz	±20±25±50	LVCMOS	1.82.5 to 3.3	-40 to +105-40 to +125	SOT23(2.9x2.8)
SiT2020		1 to 110 MHz	±20±25±50	LVCMOS	1.82.5 to 3.3	-55 to +125	SOT23(2.9x2.8)
SiT2021		119 to 137 MHz	±20±25±50	LVCMOS	1.82.5 to 3.3	-55 to +125	SOT23(2.9x2.8)
SiT2024		1 to 110 MHz	±20±25±50	LVCMOS	1.82.5 to 3.3	-40 to +85-40 to +105-40 to +125-55 to +125	SOT23(2.9x2.8)
SiT2025		115 to 137 MHz	±20±25±50	LVCMOS	1.82.5 to 3.3	-40 to +85-40 to +105-40 to +125-55 to +125	SOT23(2.9x2.8)
SiT8918		1 to 110 MHz	±20±25±50	LVCMOS	1.82.5 to 3.3	-40 to +105-40 to +125	2.0x1.62.5x2.03.2x2.55.0x3.27.0x5.0
SiT8919		115 to 137 MHz	±20±25±50	LVCMOS	1.82.5 to 3.3	-40 to +105-40 to +125	2.0x1.62.5x2.03.2x2.55.0x3.27.0x5.0
SiT8920		1 to 110 MHz	±20±25±50	LVCMOS	1.82.5 to 3.3	-55 to +125	2.0x1.62.5x2.03.2x2.55.0x3.27.0x5.0
SiT8921		119 to 137 MHz	±20±25±50	LVCMOS	1.82.5 to 3.3	-55 to +125	2.0x1.62.5x2.03.2x2.55.0x3.27.0x5.0
SiT8924		1 to 110 MHz	±20±25±50	LVCMOS	1.82.5 to 3.3	-40 to +85-40 to +105-40 to +125-55 to +125	2.0x1.62.5x2.03.2x2.55.0x3.27.0x5.0
SiT8925		115 to 137 MHz	±20±25±50	LVCMOS	1.82.5 to 3.3	-40 to +85-40 to +105-40 to +125-55 to +125	2.0x1.62.5x2.03.2x2.55.0x3.27.0x5.0
SiT9386		1 to 220 MHz	±25±50	LVPECLLVDSHCSL	2.52.83.03.3	-40 to +85-40 to +105	3.2x2.57.0x5.0
SiT9387		220 to 725 MHz	±25±50	LVPECLLVDSHCSL	2.52.83.03.3	-40 to +85-40 to +105	3.2x2.57.0x5.0
SiT9025		1 to 150 MHz	±20±25±50	LVCMOS	1.82.5 to 3.3	-40 to +85-40 to +105-40 to +125-55 to +125	2.0x1.6 mm2.5x2.0 mm3.2x2.5 mm
SiT8926		137 to 150 MHz	±20±25±50	LVCMOS	1.82.5 to 3.3	-40 to +85-40 to +105-40 to +125-55 to +125	2.0x1.6 mm2.5x2.0 mm3.2x2.5 mm
关键资源
利用高温，**强健的MEMS振荡器提高汽车的可靠性和性能

扩频振荡器
SiTime的EMI降低振荡器通过扩频时钟和时钟信号的上升/下降时间调整来确保发射顺应性。 SiTime的Time Machine II编程器支持他们，工程师可以快速降低排放水平并确保客户通过合规。
基频高达17 dB，谐波高达30 dB
广泛的传播范围：高达4％包到包
FlexEdge?可配置的上升/下降时间选项：0.25 ns至40 ns的压摆率
DeviceDatasheetFrequencyStability(PPM)Output TypeSupply Voltage(V)Temp. Range(°C)Package Size(mm)
SiT9002		1 to 220 MHz	±25±50	LVPECLLVDSCMLHCML	1.82.53.3	-20 to +70-40 to +85	5.0x3.27.0x5.0
SiT9003		1 to 110 MHz	±50±100	LVCMOS	1.82.52.83.3	-20 to +70-40 to +85	2.0x1.62.5x2.05.0x3.27.0x5.0
SiT9005		1 to 141 MHz	±20±25±50	LVCMOS	1.82.5 to 3.3	-20 to +70-40 to +85	2.0x1.62.5x2.03.2x2.5
关键资源
SiTime扩频时钟振荡器（SiT9001 / 2/3）SiT8103，SiT8003和SiT9003的上升和下降时间选择

电压控制振荡器VCXO
SiTime MEMS VCXO为视频分配（CMTS），网络，电信和仪器应用提供了出色的动态性能和较高的可靠性。 这些器件经过精心设计，可在存在常见环境危害（如冲击，振动，噪声电源和EMI）的情况下保持相同的相位噪声和频率调谐精度。 它们使诸如有线电视前端和远程无线电头端（RRH）等设备能够在不受控制的环境中提供较高的性能，较佳的可靠性和较高的服务质量，如未调节的地下室或屋顶。
从1 MHz到725 MHz的任何频率，1 Hz步进
±15 ppm，在整个温度范围内（-40至+85°C）具有较佳动态稳定性
0.02 ps / mV电源噪声抑制（PSNR），降低电源要求
较佳（0.1％）和较宽（±25至±3200 ppm）的拉程线性，比石英好50倍
DeviceDatasheetFrequencyStability(PPM)Output TypeSupply Voltage(V)Temp. Range(°C)Package Size(mm)
SiT3372		10 to 220 MHz	±25±30±50	LVPECLLVDSHCSL	2.52.83.03.3	-20 to +70-40 to +85	3.2x2.57.0x5.0
SiT3373		220 to 725 MHz	±25±30±50	LVPECLLVDSHCSL	2.52.83.03.3	-20 to +70-40 to +85	3.2x2.57.0x5.0
SiT3807		31 frequencies	±25±50	LVCMOS	1.82.52.83.3	-20 to +70-40 to +85	2.5x2.03.2x2.55.0x3.27.0x5.0
SiT3808		1 to 80 MHz	±25±50	LVCMOS	1.82.52.83.3	-20 to +70-40 to +85	2.5x2.03.2x2.55.0x3.27.0x5.0
SiT3809		80 to 220 MHz	±25±50	LVCMOS	1.82.52.83.3	-20 to +70-40 to +85	2.5x2.03.2x2.55.0x3.27.0x5.0
关键资源
VCXO规格的定义VCXO参数权衡PLL设计
 
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